Электронные ключи на полевых транзисторах. ...

Аватар автора
* В настоящее время происходит активное вытеснение биполярных транзисторов из области ключевых устройств. Полевые транзисторы не потребляют статической мощности по цепи управления, в них отсутствуют неосновные носители, а, значит, не требуется время на из рассасывание, и, в конечном итоге, рост температуры приводит к уменьшению тока стока, что обеспечивает повышенную термоустойчивость. Для коммутации аналоговых и цифровых сигналов широко применяются ключи на полевых транзисторах. В аналоговых ключах применяются транзисторы с p-n переходом или МДП-транзисторы с индуцированным каналом. В цифровых ключах в основном применяются МДП-транзисторы с индуцированным каналом, которые нашли широкое применение в силовой электронике. Рассмотрим схему цифрового ключа на МДП- транзисторе с индуцированным каналом и резистивной нагрузкой. На этой схеме емкость Cn соответствует суммарной емкости подключенных к ключу устройств. При отсутствии входного сигнала транзистор закрыт и напряжение между стоком и истоком равно напряжению питания. При напряжении на входе ключа больше порогового (т.е. между затвором и истоком) транзистор открывается и напряжение между стоком и истоком понижается. Напряжение включения на открытом ключе зависит от сопротивления стока, величины входного сигнала и особенностей стоковых характеристик транзистора. Еще одна схема, схема цифрового ключа на МДП-транзисторе с динамической нагрузкой, функцию которой выполняет МДП-транзистор. Транзистор Т1 называется активным...

0/0


0/0

0/0

0/0

0/0