Testeur transistor mosfet igbt diode zener varistance - transistor withstand voltage tester

Super testeur qui permet de tester la tension de claquage des composants. La tension de service des condensateurs la diode zener transistor bjt mosfet igbt ❤️ VCEO est l&de "Voltage Collector-Emitter Open circuit" en anglais, ce qui signifie en français "Tension Collecteur-Émetteur en circuit ouvert". C&une spécification importante pour les transistors bipolaires à jonction (BJT). Le VCEO représente la tension maximale que le transistor peut tolérer entre son collecteur et son émetteur lorsque la base est ouverte, c&lorsqu&courant ne circule dans la base. ❤️ Le terme équivalent au VCEO pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) est généralement appelé VDS, ce qui signifie "Voltage Drain-Source". Il représente la tension maximale que le MOSFET peut tolérer entre sa broche de drain (D) et sa broche de source (S) lorsque la grille (G) est correctement polarisée. Ainsi, pour un MOSFET, il est important de respecter la tension maximale spécifiée pour VDS afin d&tout risque de dommage au composant. Comme pour le VCEO des transistors bipolaires, le VDS des MOSFETs est une spécification cruciale lors de la conception de circuits électroniques pour garantir un fonctionnement fiable et sécurisé. ❤️ Pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), la spécification équivalente à VCEO ou VDS des transistors bipolaires ou MOSFET est généralement appelée VCES, ce qui signifie "Voltage Collector-Emitter Saturation". Cette spécification représente la...