Драйвер для MOSFET и IGBT | Принцип выбора и расчет. Часть 2.

(Новый оригинальный модуль бтиз FF1200R17IP5) Внимание! Если ссылка ведет не на тот продукт, что Вы искали, воспользуйтесь поиском по сайту! Рассмотрено принцип работы полевого транзистора MOSFET. Основное внимание сосредоточенно на процессах, протекающих при открывании и закрывании транзистора. Время включения MOSFET состоит из задержки времени на включение и времени нарастания. Время выключения полевого транзистора состоит из суммы времен спада и задержки на выключение. Эти параметры определяются величинами паразитных емкостей и емкости затвора, которые в свою очередь часто выражают в величине заряда. Величины емкостей и зарядов MOSFET приводятся в даташите на транзистор. В данном видео рассмотрены основные параметры полевых транзисторов, приводимых в даташите. Эти параметры служат основной точкой для расчета и выбора драйвера для MOSFET и IGBT. #electronicsclub #Распаковка