Как правильно соединять транзисторы. На реальных примерах.

Полевой транзистор MOSFET управляется потенциалом или напряжением. Биполярный транзистор является токовым полупроводниковым прибором. Для его управления необходимо, чтобы протекал ток на переходе база – эмиттер. Поэтому выдвигаются разные требования для полупроводниковых ключей разных типов при их соединении нескольких единиц. Последовательное соединение транзисторов не допускается, так как вследствие наличия разброса характеристик приборов даже одного тика и из одной партии, один из нескольких транзисторов откроется быстрей. Тогда к оставшемуся полупроводниковому ключу будет приложена большая доля напряжения. В результате наступит его пробой, а затем пробьется и оставшийся ключ. При параллельном соединении биполярных транзисторов в цепь эмиттера устанавливается токовыравнивающий резистор. Благодаря последним происходи выравнивание токов, протекающих через участок коллектор – эмиттер. Неравномерность токов вызвана расхождением напряжения насыщения параллельно соединенных полупроводниковых приборов. Величина сопротивления эмиттерного резистора составляется единицы и десятые ома. Следует учитывать, что на токовыравнивающих резисторах будет теряться часть мощности. Параллельное соединение полевых транзисторов MOSFET не требует применения выше приведенных мер. В открытом состоянии сопротивление канала MOSFET одной серии практически совпадают, то есть не имеют существенного различия падения напряжения на участке сток – исток. В результате суммарных ток будет поровну делиться...