КАК ПРОВЕРИТЬ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР и ЗАЧЕМ В НЕМ ДИОД

(Новый оригинальный модуль бтиз FF1200R17IP5) Внимание! Если ссылка ведет не на тот продукт, что Вы искали, воспользуйтесь поиском по сайту! В справочной документации по полевым транзисторам MOSFET в символическом обозначении транзистора часто встречается символ диода, включенного параллельно цепи «сток—исток» На графическом обозначении транзистора иногда рисуют вместо обычного диода диод Зенера. Если бы напряжение пробоя этого зенера лежало ниже напряжения пробоя канала, он мог бы шунтировать ток и напряжение самоуиндукции тем самым защищая канал от разрушения. В подавляющем большинстве случаев в силовых преобразовательных схемах существует необходимость шунтирования транзисторов быстрыми диодами. Но, к сожалению, в данном случае появление диода связано с технологией изготовления мощных «полевиков». Почему — к сожалению? Потому, что характеристики этого паразитного диода, называемого integral reverse p-njunction diode (интегральный обратный диод р-п-перехода), применительно к использованию в схемах преобразовательных устройств оставляют желать лучшего. Другими словами, встроенный диод оказывается слишком медленным, поэтому приходится затрачивать дополнительную энергию на его закрывание, что ведет к нагреву транзистора в целом. Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам. См. рис.2. Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора...